
Samsungin kolmiulotteinen v-nand-flash-piiri käyttää uutta, vertikaalista solurakennetta, joka mahdollistaa tiheämmät, monikerroksiset muistirakenteet. Käytännössä tekniikka tuo merkittäviä parannuksia muistipiirien nopeuteen, kestävyyteen ja energiatehokkuuteen.
Samsung 850 Pro ottaa viimeisetkin rippeet irti sata III (6 Gb/s) -väylästä tarjoamalla 550 megatavun lukunopeuden ja 520 megatavun kirjoitusnopeuden sekunnissa. Samalla levyt tarjoavat erinomaiset iops-lukemat (input/output per second): 100 000/90 000 (satunnainen lukunopeus/satunnainen kirjoitusnopeus, jononsyvyysarvo QD32). Mukana on myös Dynamic Thermal Guard -toiminto, joka pitää ylikuumenemisen ja sitä myötä tiedon menettämisen riskin loitolla.

High-end-pc:lle ja työasemakäyttöön suunniteltu Samsung 850 Pro -mallisto tulee myyntiin elokuussa. Kapasiteetit ovat 128, 256, 512 ja 1 000 gigatavua.